Falcon III XO 法兰安装型高速X射线相机

英国Raptor Photonics公司的Eagle XO法兰安装型高速X射线相机采用CF152(6”)法兰设计，可以与真空室直接连接。相机采用Teledyne e2v公司的背照式CCD芯片，可实现对真空紫外VUV、软X射线的直接探测，探测能量范围覆盖12eV到20keV。提供不同分辨率相机可选，方便用户选择在特殊环境下进行科研和系统的集成

主要特性

• CF152(6”)法兰设计，可直接与真空室连接

• 来自Teledyne e2v的背照式CCD芯片

• 可直接探测能量范围12eV-20keV

• 制冷温度-80℃，暗电流<0.0005e - /p/s

• 读出噪声<2.3e -

• Camera Link接口，易于系统集成和开发

典型应用

•x射线成像 •x射线显微镜 •薄膜和纳米纤维 •x射线等离子体诊断 •全息和光刻

>>X-ray衍射（XRD）

X射线成像及荧光成像(XRF)、X射线衍射成像(XRD)、X射线显微镜、共振非弹性X射线散射(RIXS)、VUV/EUV/XUV光谱、薄膜及纳米纤维、材料组成及结构、X射线等离子体诊断、全息照相及光刻

>>EUV紫外光刻半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制，该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术，以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战，但它经常被使用，因为它保留了上述光刻技术 （波长13.5nm）的外观和感觉，以及使用了相同的基本设计工具。 因此，直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。

>>XUV、软X射线及EUV光谱
美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪，采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机，可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。

Eagle XO – Open Front X-Ray

Open Front High Energy CCDs with a range of custom options

Introducing a high energy direct X-Ray Open Front version one of the most sensitive CCD cameras in the World. The Eagle XO is available in a range of options including sensor resolution, sensor type, cooling and flange options. This freedom of choice offers cameras to meet your exact needs.

The EAGLE XO camera features:

·       Open front end – CF152 (6”) flange for direct interfacing to vacuum chambers

·       Deep cooled using Thermoelectric cooler (TEC) – Minimize dark current and enable long exposure

·       Choice of resolutions and pixel sizes – Optimizes sensitivity and large field of view imaging

·       Choice of sensor types – Enables ultra sharp image resolution and high dynamic range

产品参数：

典型应用

•x射线成像 •x射线显微镜 •薄膜和纳米纤维 •x射线等离子体诊断 •全息和光刻

>>X-ray衍射（XRD）

X-ray衍射是一种研究物质特性的技术，如大分子、晶体、粉末、 聚合物和纤维。 当X-ray穿过物质时，它们与原子中的电子相互作用，并分散开 来。如果原子是在平面上组织的（即物质是结晶的），并且原子之间 的距离与X-ray的波长大小相同，则会发生构造性和破坏性的干涉， 并形成衍射图案。根据所研究物质的种类，可以使用单色X-ray、粉 红束（窄带）X-ray或白束（宽带）X-ray。

>>EUV紫外光刻

半导体工业使用波长从 365nm 到 248nm 到 193/157nm 的光 源，其特征尺寸小于100nm，但已达到光刻技术的界限。认识到这 一限制，该行业在过去几年中一直在寻找一种潜在的后继技术，以生 产小于100nm的特性。半导体工业研究的下一代光刻技术包括超视 距光刻、X-ray光刻、离子束投影光刻和电子束投影光刻。尽管EUV 光刻技术也有其挑战，但它经常被使用，因为它保留了上述光刻技术 （波长13.5nm）的外观和感觉，以及使用了相同的基本设计工具。 因此，直接探测X-ray相机为光刻系统工作中提供了好的诊断 和监控手段。

>>XUV、软X射线及EUV光谱

美国McPherson Instruments公司的251MX平场光谱仪，采用新的120g/mm光栅和EA4710XO-BN相机，可以轻松实现XUV、软X射线及EUV光谱的测量。

Typical Uses:

·       X-ray imaging

·       X-ray microscopy

·       Thin films and nanofibers

·       X-ray plasma diagnostics

·       Holography and lithography