InGaAs 四象限探测器-智慧城市网

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我司有多种四象限探测器，包括用在紫外波段的硅探测器和用在红外波段的铟镓砷探测器，这些探测器是在一块芯片上封装了四个单独的感光面（四个独立的阳极共用一个阴极），这类探测器接收光信号时可以在中心位置接收到强的信号，因为每一个单独光敏面类似于一个单独的探测器可以接收不同电压的宽光谱或者接收一个比较宽范围的电信号，和一些非PSD探测器不同需要有高电压和稳定的频率；NEP值和探测率、线宽之间的转换可以通过四个象限的电信号处理来保证性能。

用四象限探测器作为定位传感器是有一些复杂，但是两维的定位传感是可行的方式，只要光束能够覆盖在四个光敏面上。一旦在某一个光敏面上有光信号就可以以几何形式被检测到，当然终的结果是和光斑大小和形状有关系；如果光斑很小只能在某一个光敏面上显示那么整个定位信息就不会准确。

横向偏移二分之一光斑的时候就会出现这种情况。所以光斑大小和探测器大小之间的匹配就很关键。其他需要考虑的就是光束的位置、象元间距和杂散光的处理。

需要说明的是我司InGaAs 四象限探测器是集成了四路信号放大器，可以提供四路的模拟电压输出。增益值可以进行调节，从高探测率低频率测量到低增益宽带宽，详细指标参照产品具体信息。

InGaAs 四象限探测器指标：

型号	LD-InGaAs-010-QD	LD-InGaAs-020-QD	LD-InGaAs-030-QD
Active Diameter (mm) ，Overall	1.0	2.0	3.0
Operating Wavelength(μm)	1.0-1.7	1.0-1.7	1.0-1.7
Shunt Resistance(Ω) (Each Quadrant)	>100M	>60M	>30M
Shunt Capacitance (pF) (Each Quadrant)	40typ	100typ	200typ
Element Spacing	<35 microns	<100 microns	20micronstyp;45 microns max
Responsivity @1.3μm (A/W)	0.9	0.9	0.9
Crosstalk	<1%	<1%	<1%