GD GD5F4GQ6UEYIGR 存储IC

GD GD5F4GQ6UEYIGR 存储IC

SPI（串行外围接口）NAND闪存基于行业标准的NAND闪存核心，为嵌入式系统提供了一种超经济高效的高密度非易失性存储器存储解决方案。它是SPI-NOR和标准并行NAND闪存的有吸引力的替代品，具有高级功能：

1、总引脚数为8，包括VCC和GND

2、密度4Gb

3、优于SPI-NOR的写入性能和每比特成本

4、比并行NAND成本低得多

这种低引脚数NAND闪存遵循行业标准的串行外围接口，从一个密度到另一个密度始终保持相同的引脚输出。命令集类似于常见的SPI-NOR命令集，经过修改以处理NAND特定的功能并添加了新功能。GigaDevice SPI NAND是一款易于集成的NAND闪存，具有特定的设计功能，便于主机管理：

1、用户可选择的内部ECC。ECC奇偶校验在页面编程操作期间在内部生成。当页面被读取到缓存寄存器时，检测ECC奇偶校验，并在必要时纠正错误。设备输出校正数据并返回ECC错误状态。

2、使用内部ECC移动或复制内部数据。该设备可以轻松地刷新和管理垃圾收集任务，而无需移入和移出数据。此命令字符串只能用于具有相同奇偶校验属性的块。

3、通电读取，内部ECC。开机后，设备会自动将区块读取到缓存中，然后主机可以直接从缓存中读取数据，以方便启动。当启用ECC时，内部ECC也保证数据正确。

它在基于页面的操作中编程和读取，在基于块的操作中擦除。数据被逐页地传送到数据寄存器和高速缓存寄存器，或从NAND闪存阵列传送数据。高速缓存寄存器接近I/O控制电路，并充当I/O数据的数据缓冲器；数据寄存器接近存储器阵列，并且充当NAND闪存阵列操作的数据缓冲器。高速缓存寄存器用作缓冲存储器，以启用页面和随机数据读/写和复制回操作。这些设备还使用SPI状态寄存器来报告设备操作状态。

GD GD5F4GQ6UEYIGR 存储IC的功能特征

1、 4Gb SLC NAND闪存

2、 页面大小

（1） 内部ECC开启（ECC_EN=1，默认值）：

页面大小：2048字节+64字节

（2） 内部ECC关闭（ECC_EN=0）：

页面大小：2048字节+128字节

3、 标准、双、四SPI、DTR

（1） 标准SPI：SCLK、CS#、SI、SO、WP#、HOLD#

（2） -双SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、WP#、HOLD#

（3） 四路SPI：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

（4） DTR（双传输速率）读取：SCLK、CS#、SIO0、SIO1、SIO2、SIO3

4、 高速时钟频率

（1） 3.3V:104MHz，用于30pF负载的快速读取

（2） 1.8V:80MHz，用于30pF负载的快速读取

（3） 3.3V：四路I/O数据传输高达416Mbit/s

（4） 1.8V：四路I/O数据传输敢达320Mbit/s

5、 软件/硬件写入保护

（1） 通过软件对所有/部分内存进行写保护

（2） 使用WP#引脚注册保护

6、 单电源电压

（1） 1.8V的全电压范围：1.7V~2.0V

（2） 3.3V的全电压范围：2.7V~3.6V

7、 高级安全功能

（1） 8K字节OTP区域

8、 编程/擦除/读取速度

（1） 页面程序时间：典型300us

（2） 块擦除时间：典型3ms

（3） 页面读取时间：高达60us

9、 低功耗

（1） 有功电高达30mA

（2） 85℃时待机电流高达50uA

10、 增强的访问性能

（1） 用于快速随机读取的2Kbyte缓存

（2） 缓存读取和缓存程序

11、 NAND的高级功能

（1） 工厂良好区块0

12、 可靠性

（1） 带ECC的P/E周期：100K

（2） 数据保留期：10年

13、 内部ECC

（1） 4位/528字节