更多

供应


智慧城市网供应网 储备数据 储备设备 其他储备设备K4B4G1646E-BCN-K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

K4B4G1646E-BCN-K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

  • 产地
  • 所在地
  • 暂无
  • 广东深圳市

更新时间:2024-02-07

有效日期:还剩42

产品详情

K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

I
IC编号K4B4G1646E-BCNB
厂牌SAMSUNG/三星
IC 类别DDR3 SDRAM
IC代码256MX16 DDR3
脚位/封装FBGA
外包装TRAY
无铅/环保无铅/环保
电压(伏)1.5 V
温度规格Commercial (0°C – 95°C)
速度DDR3-2133 (1067MHz @ CL=14, tRCD=14,tRP=14)
标准包装数量1120
标准外箱 
潜在应用INDUSTRIAL COMPUTER/PC DIGITAL BOARD/工业电脑/ PC数位板
SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商
UNKNOWN/未定义
Number Of Words256M
Density4G
PowerNormal Power
Internal Banks8 Banks
Generation6th Generation

 深圳市宏大实业有限公司,是国内专业集成电路供应链专家,公司成立于2016年,团队核心在国内外原厂、代理商都担任过重要职位. 公司专注物联网、音视频、车载、智能家电、工业通讯领域市场,在深圳、上海均设有研发团队,服务国内外客户超过500多家,其中上市公司和准上市公司超过20家。 目前代理分销产品线有索尼、松下、OV、思特威、晶像、MSTAR、海思、华邦、旺宏、三星、海力士、村田、TI、ADI、ST、移远、仙童、赛灵思,GD、国巨、旺诠、Realtek SK hynix/海力士等多达30多家国内外半导体公司,可以为客户提供研发-供应链-生产服务的优质服务,期待和您共同成长!

 K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片

三星内存芯片 缓存芯片 存储IC  FLASH存储芯片 三星原装DDR3-SDRAM

 


免责声明:以上所展示的信息由企业自行提供,内容的真实性、准确性和合法性由发布企业负责,智慧城市网对此不承担任何保证责任。

发布询价单

深圳宏大实业有限公司

型:
经销商
联系人:
谭超

联系我时,请说明是在智慧城市网上看到的,谢谢

商家概况

主营产品:
海思 TI SONY 松下 MXIC WINBOND 三星 海力士 思特威 台湾晶像 TI ST ADI 英飞凌 仙童
公司性质:
经销商

该商家其它产品

海思芯片3519DV500

海思芯片3519DV50...

摘要:海思芯片3519DV500核心具有 [详细]
海思芯片3519AV200

海思芯片3519AV20...

摘要:海思芯片3519AV200核心具有 [详细]
海思芯片SS927

海思芯片SS927...

摘要:海思芯片SS927处理器核心具 [详细]
海思芯片SS926

海思芯片SS926...

摘要:海思芯片SS926处理器核心具 [详细]
海思芯片SD3403

海思芯片SD3403...

摘要:海思芯片SD3403是一颗面向 [详细]
格科微GC2063-C41Y0 图像传感器

格科微GC2063-C41...

摘要:格科微GC2063-C41Y0图像传 [详细]
FH8626V100 网络摄像机 富瀚微/Ful.han

FH8626V100 网络...

摘要:FH8626V100网络摄像机富瀚 [详细]
富瀚微FH8626

富瀚微FH8626...

摘要:富瀚微FH8626V100是新一代 [详细]

其它商家同类产品