K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
IIC编号 | K4B4G1646E-BCNB | 厂牌 | SAMSUNG/三星 | IC 类别 | DDR3 SDRAM | IC代码 | 256MX16 DDR3 | 脚位/封装 | FBGA | 外包装 | TRAY | 无铅/环保 | 无铅/环保 | 电压(伏) | 1.5 V | 温度规格 | Commercial (0°C – 95°C) | 速度 | DDR3-2133 (1067MHz @ CL=14, tRCD=14,tRP=14) | 标准包装数量 | 1120 | 标准外箱 | | 潜在应用 | INDUSTRIAL COMPUTER/PC DIGITAL BOARD/工业电脑/ PC数位板 | SMART TV/MONITOR/TFT/LCD TV-MAKER/顯示器/智能電視製造商 | UNKNOWN/未定义 | Number Of Words | 256M | Density | 4G | Power | Normal Power | Internal Banks | 8 Banks | Generation | 6th Generation |
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K4B4G1646E 三星FLASH存储IC DDR3缓存芯片
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